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超结MOS将逐渐替代VDMOS超结MOS将逐渐替代VDMOS2013年–600V24A、20A、11A、10A、7A、2A–650V20A2014年–600V40A、60A–650V11A、7A、3A、2A–800V20A、40A、60A、11A... 更多信息 |  |
2015Q4 最新产品目录发布2015Q4最新产品目录发布了，快到“技术资料”页面下载、查看吧！... 更多信息 |  |
公司办公地址迁址通告因我司办公地址变更，自即日起，业务往来寄件请使用以下新地址： 上海市浦东新区蔡伦路1690号2号楼405室 其他公司资料不变，谢谢配合！... 更多信息 |  |
硅基超级结器件——中高压功率器件市...2015-08-04仲雪倩ZJU功率电子器件实验室目前硅基超级结功率MOSFET的产品覆盖500~900V的电压等级，而这恰巧是功率器件市场选择最丰富，竞争最激烈的区域。前有Si-IGBT，Planar-MOSFET低成本成熟技术的强力挤压，后有宽禁带半导体SiC-FET,lateralGaN-HEMTs的围追堵截，SiSJ为何能在有限的中高压功率器件市场上分得一杯羹？这... 更多信息 |  |
超致半导体(SuperSemi)推出全球首款超...超结IGBT(SJ-IGBT)是采用超结(Superjunction)结构，即在传统IGBT器件结构基础上，在外延层增加重复排列的PN柱的新型功率半导体器件。上海超致半导体科技有限公司利用国内知名8英寸工艺代工平台，采用具有自主知识产权的SJ-IGBT器件结构，推出全球首款量产SJ-IGBT产品。SJ-IGBT器件延续了传统IGBT器件高耐压、低导通电压、高... 更多信息 |  |
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