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超结MOS将逐渐替代VDMOS超结MOS将逐渐替代VDMOS2013年–600V24A、20A、11A、10A、7A、2A–650V20A2014年–600V40A、60A–650V11A、7A、3A、2A–800V20A、40A、60A、11A... 更多信息 | ![]() |
2015Q4 最新产品目录发布2015Q4最新产品目录发布了,快到“技术资料”页面下载、查看吧!... 更多信息 | ![]() |
公司办公地址迁址通告因我司办公地址变更,自即日起,业务往来寄件请使用以下新地址: 上海市浦东新区蔡伦路1690号2号楼405室 其他公司资料不变,谢谢配合!... 更多信息 | ![]() |
硅基超级结器件——中高压功率器件市...2015-08-04仲雪倩ZJU功率电子器件实验室目前硅基超级结功率MOSFET的产品覆盖500~900V的电压等级,而这恰巧是功率器件市场选择最丰富,竞争最激烈的区域。前有Si-IGBT,Planar-MOSFET低成本成熟技术的强力挤压,后有宽禁带半导体SiC-FET,lateralGaN-HEMTs的围追堵截,SiSJ为何能在有限的中高压功率器件市场上分得一杯羹?这... 更多信息 | ![]() |