021-6839 0963 18516057022

CONTACT US

联系我们

地址:上海市浦东新区蔡伦路1690号2号楼405室
电话:021-6839 0963 / 185 1605 7022
邮箱:lixin@supersemi.com.cn
查看更多联系我们

新闻资讯

您的当前位置:网站首页 - 新闻资讯

超致半导体(SuperSemi)推出全球首款超结IGBT产品

超结IGBT (SJ-IGBT)是采用超结(Superjunction)结构,即在传统IGBT器件结构基础上,在外延层增加重复排列的PN柱的新型功率半导体器件。


上海超致半导体科技有限公司利用国内知名8英寸工艺代工平台,采用具有自主知识产权的SJ-IGBT器件结构,推出全球首款量产SJ-IGBT产品。


SJ-IGBT器件延续了传统IGBT器件高耐压、低导通电压、高电流密度、高可靠性等优势,同时基于超结概念的结构设计提升了IGBT器件的综合性能。


更高的电流密度:相比于当前最先进的微沟槽+场阻止结构IGBT,SJ-IGBT器件的电流密度能力提升至少20%,达到360A/cm2。


强壮的短路特性:先进的器件元胞和终端结构设计,SJ-IGBT器件具有10us的短路耐量,可应用于高可靠性要求的直流无刷电机、变频器、汽车电子等领域。


更低的饱和导通压降:超结结构引入的横向电场提高SJ-IGBT器件的击穿电压,因此同等耐压级别下,器件漂移区掺杂浓度更高,因而正向导通时电压降更小。


更快的开关速度:更高的漂移区掺杂浓度使得器件导通时电导调制程度降低,关断时需抽取的空穴总量减少,超结结构引入的P柱提供辅助耗尽作用,提高了器件开关速度,有助于SJ-IGBT器件适用于高频应用场景。


更小封装形式: SJ-IGBT器件更高的电流密度能力可大大缩小芯片面积,从而减小器件的封装尺寸要求。超致半导体可提供采用TO220封装的额定电流达到40A的带快恢复二极管的SJ-IGBT产品。


上海超致半导体科技有限公司可提供600V级10A/15A/20A/30A/40A/75A等SJ-IGBT产品。根据应用场景,可以提供高短路耐量类、高开关频率类、低导通电压类等不同类型产品,以满足客户需求。


后续超致半导体将完善600V级产品系列,并将陆续推出650V 级消费类、工业类SJ-IGBT产品和750V汽车级SJ-IGBT产品。


超致半导体,一直致力于高性能,低功耗的功率半导体器件,不断追求产品创新和产品质量。为用户提供更稳定,更具有性价比的功率器件产品!